tillverkning av integrerade kretsar ( IC ) kräver stora mängder av mänskligt och finansiellt kapital och utvecklas ständigt , men några grundläggande steg är framträdande . Kretsarna är byggda på rena kiselskivor , så en nyckel till IC produktionen är den första tillverkningen av stora skivor som har flera integrerade kretsar kan konstrueras . Fotolitografi kommer att användas för att bygga hundratals kretsar på varje wafer och sedan dessa kretsar kommer att separeras . Instruktioner
Kiselskiva Production
1
Producera ren kisel genom att odla en stor kiselkristall . Värm en stor vat av kisel till en hög temperatur av ca 1400 grader Celsius i en degel , sedan långsamt dra ut en enda stor ren kristall , typiskt 200 mm i diameter från centrum av den roterande karet . Kyl denna stora cylindriska kristall , sedan försiktigt skär den i tunna skivor mindre än en mm tjock . Surface skivan platta till exakta toleranser . Behandla varje wafer med kiseloxid, som verkar som ett isolerande medel.
2
Initiera det första steget i fotolitografi vid glänsande en ultraviolett ( UV) ljus genom en mask matchande kopplingsschemat för varje skikt på skivan. Täck hela wafern med en skyddande beläggning som också är känslig för UV-ljus. Utför denna process i ett rent rum där allt damm har avlägsnats med luftrenare än ett sjukhus rum . Addera 3
Bygg det första lagret av kretsen genom att lysa med UV- ljus genom första mask, placeras ovanpå den belagda chipet. Maskmönstret låter lite ljus att falla på chipet , förnedrande det bara i de områden som anges av masken . Utveckla chipet , vilket tar bort de skadade belagda områden och lämnar ett mönster på chipet .
4
Etch chipet med kemikalier . I denna process det isolerande kiseloxid skiktet avlägsnas varhelst maskmönstret utsedda och lämnar exponerade rent kisel i en plan - typ mönster. Det exponerade ren kisel skiktet via en process som kallas " doping "
