Etsning i halvledare är processen att ta bort oönskat material från ytan . Denna process i stor utsträckning användes i utvecklingen av halvledar -baserade tryckta kretskort (PCB ) och kort av olika elektroniska apparater. Vidare är denna process också användas för att få vissa fysikaliska och kemiska förändringar inom de halvledande material , så att de blir manövrerbar på önskade temperaturer och spänningar . Semiconductor etsning på industriell nivå genomförs av tre olika metoder , som är plasma , våta och orientering - beroende etsning . Plasmaetsning
etsning
Plasma innebär nedsänkning halvledande styrelser /rån i ett reaktivt tillstånd av fluor eller klorgas . Denna reaktiva tillstånd av dessa gaser kallas plasma staten , som erhålls genom införande av koncentrerade elektromagnetiska vågor på sina respektive gasformiga tillstånd . Plasma etsning ger en effektiv dubblering av plasmakoncentrationen partiklar över ytan av halvledarskivor , vilket i sin tur modifierar sina fysikaliska och kemiska egenskaper . Hela denna process sker vid normal rumstemperatur genom specialutrustning kallas plasma etsare . Involverar användning av reaktiva flytande kemikalier för att etsa ytan av halvledande
våtetsning
våtetsning material. Den sysselsätter eliminering av oönskade material från ytan på ett selektivt eller kontrollerat sätt , vilket medger förfarandet enligt etsning kan genomföras i ett mönstrat sätt. Våtetsning på halvledande chips görs vanligen genom buffrad fluorvätesyra eller ammoniumfluorid , som båda är isotropa och kohesivt -reagerande föreningar. Dessutom producerar denna typ av etsning en väsentlig mängd av giftigt avfall under processen, . Och av denna anledning , är det inte används vid etsning av komplexa halvledande chips och wafers
orienteringsberoende etsning
orienteringsberoende etsning är en typ av våtetsning som utförs i ett anisotropt sätt. Uttrycket " anisotropic " refererar till de kemiska egenskaperna hos variationer och plötsliga förändringar inom ämnets egenskaper . Av denna anledning utför orienteringsberoende etsning den materiella eliminering i en ojämn sätt från halvledarytor . Denna typ av etsning kallas också anisotropisk våtetsning , och görs oftast genom föreningar såsom kaliumhydroxid , tetrametylammoniumhydroxid och etylendiamin pyrokatechol .
Betydelse
Olika typer och metoder av etsning ger betydande förändringar inom vissa fysikaliska och kemiska egenskaper hos halvledande material . Till exempel är etsning allmänt känd för att producera betydande förändringar i färg , vikt, volym , fysikaliska tillstånd och termiska motståndsnivåer av halvledande material . Dessa transformationer och förändringar hjälper halvledare att öka sina konduktivitetsnivåer för önskade elektriska laddningar i diverse elektroniska apparater och utrustning .
